在过去的很多年里，各种各样的二维晶体已经收到了广泛的关注，其在高密度信息存储和量子计算器件方面有着潜在的应用前景。但是目前很难找到室温下仍然存在并且能够实验制备的材料，蜂窝状晶格在无外场的情况下要实现狄拉克半金属材料和量子反常霍尔效应在实验上依然面临着很大的困难。

　　在本工作中，我们基于第一性原理计算提出了一种理想的候选材料来实现这些新奇的量子性质，即二维的蜂窝状锡烯。自旋极化的带结构结果表明，SnOH单层具有自旋无隙半导体(SGS)特征，而SnNH在压缩应变下转换成具有自旋无隙半导体(SGS)特征。并且通过计算SnOH居里温度达到266k，通过蒙特卡罗模拟，与室温相当。当自旋和轨道耦合时，体系会打开一个相当大的带隙， 除此之外，我们发现材料可以实现一个QAH和semimental的转变。非对称修饰的锡烯在室温下可以存在为无功耗的新兴自旋电子学器件提供了一个良好的平台。

　　该工作发表在一区期刊nanoscale上，是在泰山学者特聘专家张昌文教授的指导下完成。本课题获得山东省泰山学者工程和山东省自然科学基金 （No. 11434006）的资助。

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